반도체 실리콘 웨이퍼 제조공정

 

 

1. Poly Silicon Stacking: 고순도 다결정 실리콘을 석영도가니에 충진하는 공정
2. Ingot Growing: 다결정 실리콘을 고온으로 녹인 뒤 단결정 실리콘 잉곳으로 성장시키는 공정
3. Ingot Griding & Cropping: 잉곳의 표면을 매끄럽게 다듬은 뒤 블록 단위로 절단하는 공정
4. Wire Sawing: 잉곳 블록을 낱장의 웨이퍼로 절단하는 공정
5. Edge Grinding: 웨이퍼의 가장자리 형상을 가공하는 공정
6. Lapping: 웨이퍼 표면을 매끄럽게 다듬고 평탄하게 만드는 공정
7. Etching: 웨이퍼 표면의 가공 데미지를 화학작용을 이용해 제거하는 공정
8. Double Side Grinding: 웨이퍼 표면의 작은 굴곡을 제거하는 공정
9. Polishing: 정밀 가공을 통해 웨이퍼 미세 굴곡을 제거하는 공정
10. Cleaning: 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 공정
11. Inspection: 웨이퍼의 형상과 평탄도 등의 품질을 검사하는 공정
12. Particle Counting: 웨이퍼 표면의 결함을 검사하는 공정
13. Epitaxial Growing: 웨이퍼 위에 실리콘 단결정층을 증착하는 공정
14. Packing: 충격, 먼지, 습기로 부터 보호하기 위해 제품을 포장하는 공정

 

 

출처: www.sksiltron.com/ko/wafer/process.do